GMB2314型Bypass LNA芯片应用设计指南

公司简介

       浙江省微波毫米波射频产业联盟旗下的欧洲杯购买球赛网站(股票代码:688270.SH)于2015年9月注册成立,坐落于杭州城西科创大走廊紫金港科技城,毗邻杭州西溪国家湿地公园和浙大紫金港校区。
       公司专注于终端射频前端芯片、射频收发芯片、高速ADC/DAC芯片、高可靠电源芯片、射频前端模组和微系统产品的研发、生产和销售,致力于为客户提供从天线到信号处理链路上射频模拟芯片的完整解决方案,产品广泛应用于移动通信、卫星互联网、物联网、特种行业等领域,是国内产品种类最为齐全的高端射频模拟芯片公司。

Bypass LNA简介

       为了确保接收机信号的可靠性,针对不同信号强度,射频前端需要具有调节性能的能力。对于弱信号而言,低噪声放大器应具有高增益和低噪声的特性;对于强信号而言,为避免接收机过载应选择具有低增益和高线性特性的放大器。集成旁路功能的级联放大器应具有高增益和低噪声的性能,同时在旁路时,又具有低增益高线性的性能。这些特性在设计需要高灵敏度,出色的功率效率和宽功率处理范围的便携式接收机射频前端时十分重要。


1.jpg


图1 无线系统中传统的Switched-LNA




GMB2314型 Bypass LNA应用

       本文介绍的GMB2314型Bypass LNA使用便捷,可原位替代美国Qorvo公司产品TQL9042,且与国外器件相比,外围电路更为简洁,片外无需外接漏极电感,工作频带向下拓展至30~2200MHz,可适配超宽带终端、电台等应用场景。

       · GMB2314架构及引脚定义

2.jpg

图2 GMB2314架构及引脚定义

       · GMB2314控制逻辑

       GMB2314控制逻辑简单,应用十分便利,采用两路控制电压V1和V2即可实现电路的三种工作状态,如表1所示,其中VIL和VIH分别代表低电平和高电平。

       当V2/V1=VIL/VIH或V2/V1=VIH/VIL时,LNA和Bypass支路同时关断;V2/V1=VIH/VIH时,Bypass支路开启,LNA支路关断;V2/V1=VIL/VIL时,LNA支路开启,Bypass支路关断。

表1 GMB2314控制逻辑

3.jpg

       · GMB2314典型工作参数

       GMB2314在工作电压3.3V状态下的性能参数如下表所示。其中,在Bypass支路关断状态下,1GHz频点处增益为21dB,噪声系数1dB左右,1dB压缩点18dBm,OIP3达到32dBm,工作电流50mA;LNA支路关断状态下,插损为0.65dB;同时关断状态下,隔离度为50dB。此外,高低电平选择相对灵活,高电平可在0.6~6V范围内,低电平在0~0.1V范围内根据系统供电选择。

表2 GMB2314性能指标

4.jpg

       · GMB2314典型应用电路

       GMB2314应用电路如下图所示,可以看到,外围仅需要2颗隔直电容和2颗漏极退耦电容即可正常工作,无需额外的外围电感,大幅缩减了布板面积。

5.jpg

图3 GMB2314典型应用电路

6.jpg

       · GMB2314典型测试曲线

7.jpg

图4 GMB2314 LNA ON状态增益及回波损耗

8.jpg

图5 GMB2314 Bypass ON状态插损及回波损耗

9.jpg

图6 GMB2314 Bypass & LNA OFF状态隔离度及LNA ON状态噪声系数

10.jpg

图7 GMB2314 LNA ON状态P1dB及OIP3


关注公众号

电话:0571-81023676

邮 箱:info@greatmicrowave.com

公司地址:浙江省杭州市西湖区三墩镇智强路428号

COPYRIGHT @2020欧洲杯购买球赛网站浙ICP备2020039948号

XML 地图 | Sitemap 地图

欧洲杯购买球赛网站